Page 108 - 涂料工业2024年第04期电子刊
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ArF


                                                                     Ad ance   in  Re i t   echnolo y  and   roce  in         C .
                                                          Z
                   X    Y    Z                X     Y                 a hin ton:S  E pre  ,2006,6153:539-548.
              0    0   0                              0   0       4     ,方书 ,  ,等 . 一种 ArF  没式光  用 加
                  0    0   0)            0    0 0   0
                                                         $'
                                                                      及含其的光  :CN115960341   . 2023-04-14.
                                                      $'
                  $'
                                                                  5     M R   ,AND   , A A AMA  ,et al. Ad ance  in
                 $'                     ' $   $'
                                                                     re i t  technolo y  and  proce  in         C .  a hin ton:
                                            0)
             1 ' *1." &$1." .""     1  ' $)." &$1." )'*1."           S  E pre  ,2006,6153:634-641.
                                                                  6    ANG  D   ,CA  RA E  S,ANDES  C,et  al. De i n
                                                                     con ideration   or  immer ion  193:em edded   arrier  layer
                             X      Y      Z
                                                                     and  pattern  collap e  mar in   .  ournal  o    hotopolymer
                        0    0 0    0 0    0
                                                                     Science and  echnolo y,2007,20(5):687-696.
                        0
                                             $'                   7     一 . 超大规  成电 先进光 理论与应用 M .

                                ' $   $'
                      0             0)     ' $  $'                    :科学出版 ,2016:147.

     健                           0             $' )               8   SANDERS  D   . Ad ance   in  patternin   material    or

     康                       0                                       193 nm immer ion litho raphy   . Chemical Re iew ,2010,
     探 工 工 应 科          1 ./#-." 5#)'"." ' 1&."
     ·                   图13  加  合物的结构式                              110(1):321-360.
     用
     艺
     艺
     索             Fi . 13 Chemical  tructure o  additi e polymer     9   付 超,   , 文 ,等 . 一种用于 ArF  没式光
     学
     安
     全               ,                                                  涂 的 合物及其制备方法:CN114153124A   .
     开 技 技 研 视
                             42
                                                                     2022-03-08.
     ·        ,                  ,
     发 术 术 究 点                                                   10    明,  ,    . 一种用于 193 nm  没式光
     环                                                                 涂 的 合物、制备方法及应用:CN114349898A   .
     境                                                               2022-04-15.
             3  结 语
                                                                 11    RA AMA   , A AS   R,SA    M,et  al. Material   or
                                                                      ormin   re i t  protectin    ilm   or  u e  in  li uid  immer ion
                     ArF               ,
                                                                                               a
                                                                     litho raphy proce  ,ompo ite  ilm,nd method  or  ormin
                                                                                   c

                                                                     re i t pattern: S07371510B2   . 2008-05-13.
                             ,
                                                                 12  MAEDA   ,   AN   M,  M R  A   .  roce     or
                ,  ArF             ,                                 producin  top coat  ilm u ed in litho raphy: S2007 008712
                                                                     5A1   . 2007-04-19.
                                                                 13   A A M,   N    , A     ,et al. Ad ance  in Re i t
                ,              ,                                      echnolo y  and   roce  in         C .  a hin ton:S  E
                    ,                                                pre  ,2006,6153:642-649.
                                                                 14  A  EN  R  D,BR C       , ARS N  C  E,et  al.  i h
                                                                     contact an le topcoat material and u e thereo  in litho raphy
                                                                     proce  : S8034532 B2   . 2011-10-11.
                                ,
                                                                 15   A A  M,  M    ,   N      ,et  al. Di  olution
                         ,       ,
                                                                     enhancement  o   immer ion   arrier  coat   y  po t  e po ure
                        ,                                             a e   .  ournal o   hotopolymer Science and  echnolo y,
                                                                     2005,18(5):621-625.
                                参考文献                             16  A  EN R D,S  R  A  MARAN R,S NDBERG    .
                                                                      hotore i t  topcoat   or  a  photolitho raphic  proce  :
               1     ,  成,  ,等 .  电子光    的发 及应                        S7399581B2   . 2008-07-15.
                 用   . 化学进 ,2014,26(11):1867-1888.               17   A A  M,R     M   ,C    S  ,et  al. No el  topcoat
               2    E   ,BRA NARD R  . Ad anced  roce  e   or 193-nm   material   containin   a   ul y   ilicon   roup   or  ArF
                  mmer ion  itho raphy C .  a hin ton:S  E pre  ,2009:  immer ion  litho raphy   .  ournal  o    hotopolymer  Science
                 5-10.                                               and  echnolo y,2006,19(5):579-583.
               3    A  RAFF  G  M, ARS N  C  E,BRE  A  G,et  al.   18    NDA   ,M R  A  M,  S  A   ,et  al. Molecular

                80
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