Page 54 - 涂料工业2024年第04期电子刊

i
2

270 nm
220 nm
200 nm 340 nm
215 nm 271 nm 342 nm
200 nm
50 000 200 nm 50 000 200 nm 50 000 200 nm 50 000 200 nm

（a）—4. 7 m （ ）—9. 4 m （c）—18. 7 m （d）—37. 4 m
图2 不同 用量时单分 Si 的SEM图
2
Fi . 2 SEM ima e o monodi per e Si micro phere with di erent ammonia olution do a e
2
37. 4~18. 7 m 18. 7~9. 4 m ， ，
13
， 9. 4~4. 7 m ， 2. 1. 3 反应时间对Si 微球形貌的影响
2
SEM 3 37. 4 m ，
， ， Si Si SEM
2 2

探 工 工 320 nm 300 nm 357 nm 353 nm
340 nm
索
艺
艺 342 nm
343 nm 356 nm
开 技 技 50 000 200 nm 50 000 200 nm 50 000 360 nm 200 nm 50 000 200 nm
发 术 术 （a）—1 h （ ）—2 h （c）—4 h （d）—6 h
图3 不同反应时 所制备 Si SEM图
2
Fi . 3 SEM ima e o Si micro phere prepared with di erent reaction time
2
3 ， 1 h ， 4 ，Si @ i 2θ 25. 3 37. 8
2 2
， ， Si 48. 1 53. 9 55. 1 62. 7 68. 7 70. 3 75
2
， ， ， i （Auata e）
2
4 h， ，Si （101） （004） （200） （105） （211） （204） （116）
2
， 360 nm （220） （215） ，
， Si @ i ， 1
2
2
， 2 h Si RD Si
2
2
， RD
2. 2 SiO @TiO 微球的XRD图谱 i
14
2
2
2
2. 3 中空TiO 微球的形貌及组成
4 Si @ i RD 2
2 2
2. 3. 1 中空 i 微球的 RD图谱
2
5 80 1 h 2 h
i RD
2
5 ， 1 h ， RD
i ， ，
2
i
2
1 h 2 h ， ， 1 h
Si ， ，
2
i
2θ （ ）
2
2. 3. 2 蚀刻时间对中空 i 微球形貌的影响
0 5 0 2

图4 Si @ i 核 的 RD图 6 80
2 2
i SEM
Fi . 4 RD pattern o Si @ i core- hell micro phere
2 2 2
34